Este transistor bipolar de puerta aislada de nivel lógico (IGBT) presenta un circuito monolítico que integra ESD y protección con abrazadera de sobretensión para su uso en aplicaciones de controladores de bobina inductiva. Los usos principales incluyen encendido, inyección directa de combustible o donde se requiera conmutación de alto voltaje y alta corriente.

Ideal para aplicaciones Coil-on-Plug y Driver-on-Coil

El paquete DPAK ofrece un espacio más pequeño para aumentar el espacio en la placa

Protección ESD del emisor de puerta

Límites de la abrazadera de voltaje del colector de compuerta con compensación de temperatura Esfuerzo aplicado a la carga

Protección de diodo ESD integrada

Voltaje de umbral bajo para interconectar cargas de energía con dispositivos lógicos o de microprocesador

Voltaje de saturación bajo • Capacidad de corriente pulsada alta

Resistencia de puerta (RG) y resistencia de emisor de puerta (RGE) opcionales.