Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr el área de persilicio con la menor resistencia posible. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para montaje en superficie usando fase de vapor, infrarrojas o técnicas de soldadura por ola. La versión de cable recto (serie IRFU) es para aplicaciones de montaje de orificio pasante. Los niveles de disipación de potencia de hasta 1,5 vatios son posibles en aplicaciones típicas de montaje en superficie.

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