Hoja de datos

Transistor MOSFET canal P de 200V y 12A.

Tipo de canal P

Corriente máxima continua de drenaje: 12 A

Tensión máxima drenador-fuente: 200 V

Resistencia máxima drenador-fuente: 500 mΩ

Tensión de umbral de puerta mínima: 2V

Tensión Máxima puerta-fuente-: 20 V, +20 V

Encapsulado: TO-247AC

Tipo de montaje: Orificio pasante

Número de pines: 3

Categoría: MOSFET de potencia

Disipación de potencia máxima: 150 W

Tiempo de retardo de encendido: Típico14 ns

Temperatura de funcionamiento: Mínima-55 °C

Tiempo de retardo de apagado: Típico39 ns

Temperatura máxima de funcionamiento: +150 °C

Capacitancia de entrada típica:  @Vds1200 pF a 25 V

Carga típica de puerta: @ Vgs44 nC a 10 V