HOJA DE DATOS

Transistor MOSFET de potencia, canal N  de 200V  y 20 A.

Polaridad de transistor: Canal N

Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V

Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V

Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 200 V

Corriente continua de drenaje ID: 20 A

Corriente de drenaje pulsada IDP: 80 A

Corriente de avalancha IAR: 20 A

Disipación de potencia máxima PD: 150 W

Temperatura de operación mínima: -55 °C

Temperatura de operación máxima: 150 °C

Encapsulado: TO-247

Número de pines: 3