Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. HEXAGONAL-4. Proporciona la capacidad de potencia más alta y la resistencia de encendido más baja posible en cualquier paquete de montaje en superficie existente. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia de conexión interna y puede disipar hasta 2,0 W en una aplicación típica de montaje en superficie. La versión de orificio pasante (IRF4905L) está disponible para aplicaciones de bajo perfil.

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