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Este MOSFET de potencia HEXFET® en un paquete Dual SO-8 utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de estos MOSFET de potencia HEXFET son una temperatura de funcionamiento de la unión de 175 °C, una velocidad de conmutación rápida y una clasificación de avalancha repetitiva mejorada. Estos beneficios se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. Este SO-8 dual de montaje en superficie puede reducir drásticamente el espacio de la placa y también está disponible en Tape & Reel.