Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. Las características térmicas y la capacidad de matriz múltiple lo hacen ideal en una variedad de aplicaciones de energía. Con estas mejoras, se pueden utilizar varios dispositivos en una aplicación con un espacio de placa drásticamente reducido. El paquete está diseñado para técnicas de soldadura en fase de vapor, infrarrojas o por ola. La disipación de energía de más de 0,8 W es posible en una aplicación típica de montaje en PCB.

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