Estos MOSFET de canal P de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicona. Este beneficio proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para usar en aplicaciones de gestión de carga y batería. El SO-8 se ha modificado a través de un marco de plomo personalizado para mejorar las características térmicas y la capacidad de matriz múltiple, lo que lo hace ideal en una variedad de aplicaciones de energía. Con estas mejoras, se pueden usar varios dispositivos en una aplicación con un espacio de placa drásticamente reducido. El paquete está diseñado para la técnica de soldadura en fase de vapor, infrarroja o por ola.

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