Los HEXFET de cuarta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la resistencia de encendido más baja posible por área de silicona. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el cual los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones. características y capacidad de matriz múltiple que lo hacen ideal en una variedad de aplicaciones de energía. Con estas mejoras, se pueden usar varios dispositivos en una aplicación con un espacio de placa drásticamente reducido. El paquete está diseñado para técnicas de soldadura en fase de vapor, infrarrojos o por ola. La disipación de energía de más de 0,8 W es posible en una aplicación típica de montaje en PCB.

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