Transistor MOSFET canal N de 40A y 600V.

Polaridad de transistor: N

Disipación total del dispositivo (Pd): 570 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 600 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 5 V

Carga de compuerta (Qg): 330 nC

Tiempo de elevación (tr): 110 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 750 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.13 Ohm

Encapsulado: TO-247